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SiC外延片产业化技术开发

分类 : 技术

发布人 :

日期 : 2019-03-29

浏览次数 : 20

来源 : 政和通APP

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详细内容

寻求SiC外延生长过程中缺陷形成机理方面的研究;SiC外延生长过程中缺陷抑制技术的开发。希望最终实现:1.针对4英寸、6英寸4H-SiC外延生长,探索研究三角形缺陷、层错等缺陷的形成机制;2.开发出低缺陷密度的高质量4英寸、6英寸4H-SiC外延片,实现表面三角形缺陷密度小于0.2 cm-2,层错密度小于0.5 cm-2。

技术信息

愿意合作方式 合作开发 愿意投资额度 面议
有效截止时间 2020-03-29

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